La réduction de l'empreinte carbone et l'optimisation de la consommation d'électricité sont devenues des priorités industrielles. Le module IGBT SKM200GAR12T4 intègre la technologie Trench de quatrième génération, conçue pour minimiser drastiquement les pertes par conduction au sein de vos équipements de conversion.
Grâce à un comportement de commutation particulièrement doux, ce module limite la génération de perturbations électromagnétiques. Vous réduisez ainsi le besoin d'installer des filtres de protection lourds et onéreux autour de vos moteurs, tout en respectant les normes de compatibilité les plus strictes.
Ce transistor de puissance trouve sa place idéale dans les onduleurs de parcs photovoltaïques ou de parcs éoliens, là où chaque watt économisé se traduit immédiatement par un gain de productivité financière.
| Désignation technique | SKM200GAR12T4 |
|---|---|
| Calibre en Courant | 200 A |
| Classe de Tension | 1200 V |
| Génération de Puce | IGBT4 / Trench |
| Type de Diode Associée | Diode CAL (Controlled Axial Lifetime) |
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