Ce transistor bipolaire à grille isolée combine les avantages de commande simples d'un MOSFET avec la capacité de courant élevée d'un transistor bipolaire standard. Il constitue le bloc de base idéal pour la construction de ponts onduleurs complets, assurant une transformation d'énergie fluide avec un taux de distorsion harmonique extrêmement faible.
Grâce à des temps de commutation extrêmement courts, l'énergie gaspillée sous forme de chaleur résiduelle est considérablement diminuée. Votre système consomme moins pour un résultat identique.
Les matériaux de liaison internes sont sélectionnés pour résister au vieillissement prématuré causé par les fluctuations de charge quotidiennes.
| Référence produit | SKM300GB066D |
| Technologie interne | IGBT Demi-pont |
| Applications cibles | Soudage, Onduleurs, Chauffage induction |
| Poids approximatif | 250g |
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